Catalogue en ligne - Composants électroniques. Page 45 sur 1235. Avtronic

Je suis disponible pour vous renseigner!
09.77.19.62.10

Accueil

Catalogue en ligne - Composants électroniques

Audio

518

Câbles

Coffrets et boîtiers

7502

Composants passifs

1433

Connecteurs

1081

Electronique de loisirs

662

Energie

279

Interrupteurs

Mécanique

739

Optoélectronique

306

Outillage

425

Protection électrique

206

Refroidissement

408

Relais

10167

Semi-conducteurs

<<42 43 44 45 46 47 48 >>

25932 articles disponibles

Affichage 21 articles: 2SK2605 à 2SK2828 (Page 45 sur 1235)

Transistor 2SK2605

7.00€ TTC

14 En stock

Transistor 2SK2605 N-MOS+Z 800V 5A IDp:15A 45W 1.9R. Field Effect (TT-MOSIII). High Speed. H.V. Switch. DC-DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2607

13.22€ TTC

119 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 9A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 9A.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2610

9.91€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK2610 N-MOS+Z 900V 5A IDp:15A 150W 2.3R. Field Effect (TT-MOSIII). High Speed. H.V. Switch. DC-DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2611

13.33€ TTC

52 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 900V 9A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 900V. Id(@25ºC): 9A.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2615

5.10€ TTC

27 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de Drain maxi: 2A. Puissance: 1.5W. Rds: 3.73 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N 2SK2632LS

8.96€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N 800V 2.5A 25W. Résistance passante RDSon : 4.8 Ohms (1.3A)

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2645

5.94€ TTC

31 En stock

Transistor 2SK2645 N-MOS 600V 9A/32Ap. 50W<1.2R. FAP-IIS Series MOS-FET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1.2. Courant impulsion: 32 Ap.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2647

14.90€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK2647 N-MOS 800V 4A/16Ap. 40W 4R. FAP-IIS Series MOS-FET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Rds (Ohms): 4. Courant impulsion: 16 Ap. Puissance: 40 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2651

9.91€ TTC

26 En stock

Transistor 2SK2651 N-MOS 900V 6A/24Ap. 50W 2.5R (3A). FAP-IIS Series. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 2.5.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2662

10.42€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK2662 N-MOS+Z 500V 5A/20Ap. 35W 1.35R. Field Effect Transistor (TT-MOS V). High Speed Switching. Zéner-Protected. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 1.35.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2671

13.05€ TTC

33 En stock

Transistor 2SK2671 N-MOS 900V 5A 40W 2.1R ton:55nS. HVX-2 Series POWER MOSFET. ton:55nS. toff: 210nS. Constructeur: Shindengen Electric. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 2.1. Puissance: 40 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2698

19.49€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK2698 N-MOS 500V 15A 150W< 0.4R(7A). Field Effect Tranzisztor. High spesd. High Voltage Switching. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7 A.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2699

12.04€ TTC

199 En stock

Transistor 2SK2699 N-MOS+Z 600V 12A/48Ap. 150W 0.65R(6A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.65.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2700

13.44€ TTC

3 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 900V 3A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 900V. Id(@25ºC): 3A. Puissance: 40W. Résistance Rds: 3.7 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2715TL

4.70€ TTC

69 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de drain maxi: 2A. Puissance: 20W. Rds: 3 Ohms. Fast switching speed. Boîtier: TO-252AA(CMS D-PAK).

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2717

27.78€ TTC

9 En stock

Transistor 2SK2717 N-MOS+Z 900V 5A/15Ap 45W 2.3R. Field Effect Tranzisztor. High spesd. High Voltage Switching. DC/DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: IDp:15A.TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 2.3.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2723

7.22€ TTC

75 En stock

Transistor 2SK2723 N-MOS 60V 25A 25W 0.06R (13A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: NEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 25 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.06. Puissance: 25 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2750

5.66€ TTC

70 En stock

Transistor 2SK2750 N-MOS+Z 600V 3.5A IDp:14A 35W 1.7R. Field Effect (TT-MOSV). Chopper Regulator. DC-DC Converter. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2760

20.50€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK2760 N-MOS 600V 9A 60W <1R2(4.5A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 60 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2761

7.95€ TTC

7 En stock

Transistor 2SK2761 N-MOS 600V 10A 50W <1R(4.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Boîtier: (F). Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.5 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 50 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK2828

12.04€ TTC

42 En stock

Transistor 2SK2828 N-MOS+Z 700V 12A IDp:48A 175W 0.9R. Silicon N Channel MOS FET. High Speed Power Switching. Constructeur: HIT. Boîtier: TO-3P. td(on)25nS. td(off)140nS. Tension de Drain maxi: 700 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A

Tarifs dégressifs

<<42 43 44 45 46 47 48 >>

Info livraison: recevez plus simplement votre commande, directement remise dans votre boîte aux lettres par votre facteur (avec suivi)!

Nos principaux fabricants
(Catalogue en ligne - Composants électroniques):

STMicroelectronic

Philips Semiconductors

Sanyo

Texas Instruments

Matsushita Panasonic

Catalogue en ligne - Composants électroniques

Audio

Câbles

Coffrets et boîtiers

Composants passifs

Connecteurs

Electronique de loisirs

Energie

Interrupteurs

Mécanique

Optoélectronique

Outillage

Protection électrique

Refroidissement

Relais

Semi-conducteurs

Transistor 2SK2605

Transistor 2SK2605 N-MOS+Z 800V 5A IDp:15A 45W 1.9R. Field Effect (TT-MOSIII). High Speed. H.V. Switch. DC-DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A

Transistor 2SK2607

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 9A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 9A.

Transistor 2SK2610

Transistor 2SK2610 N-MOS+Z 900V 5A IDp:15A 150W 2.3R. Field Effect (TT-MOSIII). High Speed. H.V. Switch. DC-DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A

Transistor 2SK2611

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 900V 9A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 900V. Id(@25ºC): 9A.

Transistor 2SK2615

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de Drain maxi: 2A. Puissance: 1.5W. Rds: 3.73 Ohms.

Transistor MOSFET canal-N 2SK2632LS

Transistor MOSFET canal-N 800V 2.5A 25W. Résistance passante RDSon : 4.8 Ohms (1.3A)

Transistor 2SK2645

Transistor 2SK2645 N-MOS 600V 9A/32Ap. 50W<1.2R. FAP-IIS Series MOS-FET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1.2. Courant impulsion: 32 Ap.

Transistor 2SK2647

Transistor 2SK2647 N-MOS 800V 4A/16Ap. 40W 4R. FAP-IIS Series MOS-FET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Rds (Ohms): 4. Courant impulsion: 16 Ap. Puissance: 40 W

Transistor 2SK2651

Transistor 2SK2651 N-MOS 900V 6A/24Ap. 50W 2.5R (3A). FAP-IIS Series. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 2.5.

Transistor 2SK2662

Transistor 2SK2662 N-MOS+Z 500V 5A/20Ap. 35W 1.35R. Field Effect Transistor (TT-MOS V). High Speed Switching. Zéner-Protected. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 1.35.

Transistor 2SK2671

Transistor 2SK2671 N-MOS 900V 5A 40W 2.1R ton:55nS. HVX-2 Series POWER MOSFET. ton:55nS. toff: 210nS. Constructeur: Shindengen Electric. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 2.1. Puissance: 40 W

Transistor 2SK2698

Transistor 2SK2698 N-MOS 500V 15A 150W< 0.4R(7A). Field Effect Tranzisztor. High spesd. High Voltage Switching. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7 A.

Transistor 2SK2699

Transistor 2SK2699 N-MOS+Z 600V 12A/48Ap. 150W 0.65R(6A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.65.

Transistor 2SK2700

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 900V 3A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 900V. Id(@25ºC): 3A. Puissance: 40W. Résistance Rds: 3.7 Ohms.

Transistor 2SK2715TL

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de drain maxi: 2A. Puissance: 20W. Rds: 3 Ohms. Fast switching speed. Boîtier: TO-252AA(CMS D-PAK).

Transistor 2SK2717

Transistor 2SK2717 N-MOS+Z 900V 5A/15Ap 45W 2.3R. Field Effect Tranzisztor. High spesd. High Voltage Switching. DC/DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: IDp:15A.TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 2.3.

Transistor 2SK2723

Transistor 2SK2723 N-MOS 60V 25A 25W 0.06R (13A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: NEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 25 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.06. Puissance: 25 W

Transistor 2SK2750

Transistor 2SK2750 N-MOS+Z 600V 3.5A IDp:14A 35W 1.7R. Field Effect (TT-MOSV). Chopper Regulator. DC-DC Converter. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A

Transistor 2SK2760

Transistor 2SK2760 N-MOS 600V 9A 60W <1R2(4.5A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 60 W

Transistor 2SK2761

Transistor 2SK2761 N-MOS 600V 10A 50W <1R(4.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Boîtier: (F). Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.5 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 50 W

Transistor 2SK2828

Transistor 2SK2828 N-MOS+Z 700V 12A IDp:48A 175W 0.9R. Silicon N Channel MOS FET. High Speed Power Switching. Constructeur: HIT. Boîtier: TO-3P. td(on)25nS. td(off)140nS. Tension de Drain maxi: 700 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A

Aide

Renseignements

Boutique

Mon compte

Restons en contact